| номер части | MT53B128M32D1NP-062 WT:A |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Volatile |
| Формат памяти | DRAM |
| Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Размер памяти | 4Gb (128M x 32) |
| Частота часов | 1600MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | - |
| Напряжение - Поставка | 1.1V |
| Рабочая Температура | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | подробности |
|
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | подробности |
 |
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | подробности |
|
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | подробности |
