| Artikelnummer | MT53B128M32D1NP-062 WT:A |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 4Gb (128M x 32) |
| Taktfrequenz | 1600MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannungsversorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Einzelheiten |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Einzelheiten |
