| 品番 | MT53B128M32D1NP-062 WT:A |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| メモリー容量 | 4Gb (128M x 32) |
| クロック周波数 | 1600MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | - |
| 電圧 - 供給 | 1.1V |
| 動作温度 | -30°C ~ 85°C (TC) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | 詳細 |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | 詳細 |
