| Numero di parte | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
| Frequenza di clock | 1600MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Tensione - Fornitura | 1.1V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 200-WFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1866MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G 1600MHZ | Dettagli |
