IXFN50N120SK Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
IXFN50N120SK |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Tecnologia |
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
48A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
52 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.8V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
115nC @ 20V |
| Vgs (massimo) |
+20V, -5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1895pF @ 1000V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
- |
| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
SOT-227B |
| Pacchetto / caso |
SOT-227-4, miniBLOC |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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