IXFN100N65X2

IXFN100N65X2 - IXYS

Numero di parte
IXFN100N65X2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7645 pcs
Prezzo di riferimento
USD 21.534/pcs
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IXFN100N65X2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFN100N65X2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 183nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

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