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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IXFN100N10S2
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2 - IXYS

Numero di parte
IXFN100N10S2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXFN100N10S2 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3533 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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IXFN100N10S2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFN100N10S2
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

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