IXFN100N10S2 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
IXFN100N10S2 |
| Stato parte |
Obsolete |
| Tipo FET |
N-Channel |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
100A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
180nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
4500pF @ 25V |
| Vgs (massimo) |
±20V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
360W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
15 mOhm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
SOT-227B |
| Pacchetto / caso |
SOT-227-4, miniBLOC |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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