IXFN50N120SK - IXYS

номер части	IXFN50N120SK
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	115nC @ 20V
Vgs (Макс.)	+20V, -5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1895pF @ 1000V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-227B
Упаковка / чехол	SOT-227-4, miniBLOC
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFN100N10S1	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	подробности
IXFN100N10S2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	подробности
IXFN100N10S3	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	подробности
IXFN100N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B	подробности
IXFN100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B	подробности
IXFN100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B	подробности
IXFN100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227	подробности
IXFN100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	подробности
IXFN102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B	подробности
IXFN106N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B	подробности