IXFN50N120SK - IXYS

Numéro d'article	IXFN50N120SK
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 20V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1895pF @ 1000V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-227B
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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