IXFN102N30P - IXYS

Numéro d'article	IXFN102N30P
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	88A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	224nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7500pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-227B
Paquet / cas	SOT-227-4, miniBLOC
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFN100N10S1	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Détails
IXFN100N10S2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Détails
IXFN100N10S3	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Détails
IXFN100N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B	Détails
IXFN100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B	Détails
IXFN100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B	Détails
IXFN100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227	Détails
IXFN100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
IXFN102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B	Détails
IXFN106N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B	Détails