IXFN100N10S3

IXFN100N10S3 - IXYS

Numéro d'article
IXFN100N10S3
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
New
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4437 pcs
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IXFN100N10S3 Description détaillée

Numéro d'article IXFN100N10S3
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Poids -
Pays d'origine -

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