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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFN100N10S3
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3 - IXYS

品番
IXFN100N10S3
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFN100N10S3 PDFオンラインブラウジング
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-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4341 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IXFN100N10S3 詳細な説明

品番 IXFN100N10S3
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 4mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 180nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4500pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 360W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 15 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
重量 -
原産国 -

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