• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFN100N20
IXFN100N20

IXFN100N20 - IXYS

品番
IXFN100N20
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFN100N20 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1085 pcs
参考価格
USD 23.31/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IXFN100N20

IXFN100N20 詳細な説明

品番 IXFN100N20
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 8mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 380nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 9000pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 520W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 23 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
重量 -
原産国 -

関連製品 IXFN100N20

画像 品番 メーカー 説明 見る
IXFN100N10S1 IXFN100N10S1 IXYS MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N10S2 IXFN100N10S2 IXYS MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N10S3 IXFN100N10S3 IXYS MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N20 IXFN100N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N25 IXFN100N25 IXYS MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B 詳細
IXFN100N50Q3 IXFN100N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 詳細
IXFN100N65X2 IXFN100N65X2 IXYS MOSFET N-CH 詳細
IXFN102N30P IXFN102N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B 詳細
IXFN106N20 IXFN106N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B 詳細