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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFN100N50Q3
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3 - IXYS

品番
IXFN100N50Q3
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFN100N50Q3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXFN100N50Q3.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
47 pcs
参考価格
USD 47.48/pcs
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IXFN100N50Q3 詳細な説明

品番 IXFN100N50Q3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 82A
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 6.5V @ 8mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 255nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 13800pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 960W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 49 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
重量 -
原産国 -

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