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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPN70R1K2P7SATMA1
IPN70R1K2P7SATMA1

IPN70R1K2P7SATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPN70R1K2P7SATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
COOLMOS P7 700V SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPN70R1K2P7SATMA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
602122 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.27345/pcs
Il nostro prezzo
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IPN70R1K2P7SATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPN70R1K2P7SATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 174pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 6.3W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223
Pacchetto / caso TO-261-3
Peso -
Paese d'origine -

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