IPN70R1K2P7SATMA1 - Infineon Technologies

부품 번호	IPN70R1K2P7SATMA1
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	3.5V @ 40µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Vgs (최대)	±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	174pF @ 400V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	6.3W (Tc)
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	PG-SOT223
패키지 / 케이스	TO-261-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IPN70R1K0CEATMA1	Infineon Technologies	MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3	세부
IPN70R1K2P7SATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 700V SOT-223	세부
IPN70R1K4P7SATMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	세부
IPN70R1K5CEATMA1	Infineon Technologies	MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223	세부
IPN70R2K0P7SATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 700V SOT-223	세부
IPN70R2K1CEATMA1	Infineon Technologies	MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3	세부
IPN70R360P7SATMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	세부
IPN70R450P7SATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 700V SOT-223	세부
IPN70R600P7SATMA1	Infineon Technologies	CONSUMER	세부
IPN70R750P7SATMA1	Infineon Technologies	COOLMOS P7 700V SOT-223	세부