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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPN70R1K2P7SATMA1
IPN70R1K2P7SATMA1

IPN70R1K2P7SATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPN70R1K2P7SATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
COOLMOS P7 700V SOT-223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPN70R1K2P7SATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
602122 pcs
参考価格
USD 0.27345/pcs
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IPN70R1K2P7SATMA1 詳細な説明

品番 IPN70R1K2P7SATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.2 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 40µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 4.8nC @ 10V
Vgs（最大） ±16V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 174pF @ 400V
FET機能 -
消費電力（最大） 6.3W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT223
パッケージ/ケース TO-261-3
重量 -
原産国 -

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