| Numéro d'article | IPN70R1K2P7SATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 700V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 900mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 174pF @ 400V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 6.3W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-SOT223 |
| Paquet / cas | TO-261-3 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3 | Détails |
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