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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPN70R1K2P7SATMA1
IPN70R1K2P7SATMA1

IPN70R1K2P7SATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPN70R1K2P7SATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
COOLMOS P7 700V SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPN70R1K2P7SATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
602122 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.27345/pcs
Notre prix
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IPN70R1K2P7SATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPN70R1K2P7SATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 174pF @ 400V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 6.3W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223
Paquet / cas TO-261-3
Poids -
Pays d'origine -

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