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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPN70R1K0CEATMA1
IPN70R1K0CEATMA1

IPN70R1K0CEATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPN70R1K0CEATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPN70R1K0CEATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
92706 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2828/pcs
Notre prix
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IPN70R1K0CEATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPN70R1K0CEATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 750V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.9nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 328pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Poids -
Pays d'origine -

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