| Numero di parte | IPN70R1K0CEATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 750V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.9nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3 | Dettagli |
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IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | COOLMOS P7 700V SOT-223 | Dettagli |
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IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Dettagli |
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IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223 | Dettagli |
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IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | COOLMOS P7 700V SOT-223 | Dettagli |
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IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3 | Dettagli |
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IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Dettagli |
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IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | COOLMOS P7 700V SOT-223 | Dettagli |
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IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Dettagli |
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IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | COOLMOS P7 700V SOT-223 | Dettagli |
