IPN70R750P7SATMA1 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
IPN70R750P7SATMA1 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
700V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
6.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
750 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 70µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
8.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) |
±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
306pF @ 400V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
6.7W (Tc) |
temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
PG-SOT223 |
Pacchetto / caso |
TO-261-3 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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