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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPN70R750P7SATMA1
IPN70R750P7SATMA1

IPN70R750P7SATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPN70R750P7SATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
COOLMOS P7 700V SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPN70R750P7SATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
530427 pcs
Referenzpreis
USD 0.31041/pcs
Unser Preis
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IPN70R750P7SATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPN70R750P7SATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 700V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 306pF @ 400V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 6.7W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-SOT223
Paket / Fall TO-261-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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