| Artikelnummer | IPN70R750P7SATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 700V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 1.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 306pF @ 400V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 6.7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223 |
| Paket / Fall | TO-261-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3 | Einzelheiten |
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IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | COOLMOS P7 700V SOT-223 | Einzelheiten |
