| Artikelnummer | IPN70R2K1CEATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 750V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 163pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3 | Einzelheiten |
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IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3 | Einzelheiten |
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