IPN70R2K1CEATMA1 Подробное описание
номер части |
IPN70R2K1CEATMA1 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
750V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
4A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 70µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
7.8nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
163pF @ 100V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
5W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
2.1 Ohm @ 1A, 10V |
Рабочая Температура |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
PG-SOT223 |
Упаковка / чехол |
TO-261-4, TO-261AA |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPN70R2K1CEATMA1