IPN70R2K1CEATMA1

IPN70R2K1CEATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPN70R2K1CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
124250 pcs
Precio de referencia
USD 0.2068/pcs
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IPN70R2K1CEATMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPN70R2K1CEATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 750V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 163pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-SOT223
Paquete / caja TO-261-4, TO-261AA
Peso -
País de origen -

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