| Numero di parte | BSC0910NDIATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A, 31A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 12V |
| Potenza - Max | 1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TISON-8 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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