BSC0910NDIATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza: BSC0910NDIATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Cantidad de stock: 27488 pcs
Precio de referencia: USD 0.9352/pcs
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Número de pieza	BSC0910NDIATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 12V
Potencia - Max	1W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TISON-8
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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