BSC0910NDIATMA1 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
BSC0910NDIATMA1 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
11A, 31A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
4.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
6.6nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
4500pF @ 12V |
Leistung max |
1W |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-PowerTDFN |
Lieferantengerätepaket |
PG-TISON-8 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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