| 品番 | BSC0910NDIATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET機能 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A, 31A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.6 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500pF @ 12V |
| 電力 - 最大 | 1W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TISON-8 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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