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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › BSC0904NSIATMA1
BSC0904NSIATMA1

BSC0904NSIATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BSC0904NSIATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BSC0904NSIATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
521770 pcs
Referenzpreis
USD 0.31556/pcs
Unser Preis
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BSC0904NSIATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BSC0904NSIATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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