BSC0901NSIATMA1

BSC0901NSIATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
BSC0901NSIATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
300110 pcs
Precio de referencia
USD 0.54863/pcs
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BSC0901NSIATMA1 Descripción detallada

Número de pieza BSC0901NSIATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 28A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / caja 8-PowerTDFN
Peso -
País de origen -

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