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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › BSC0902NSIATMA1
BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BSC0902NSIATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BSC0902NSIATMA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
360135 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.45719/pcs
Il nostro prezzo
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BSC0902NSIATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BSC0902NSIATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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