| Numero di parte | BSC0902NSIATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
BSC0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0902NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0902NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON | Dettagli |
|
BSC0904NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON | Dettagli |
