BSC010NE2LSI

BSC010NE2LSI - Infineon Technologies

Numero di parte
BSC010NE2LSI
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.8494/pcs
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BSC010NE2LSI Descrizione dettagliata

Numero di parte BSC010NE2LSI
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 12V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TDSON-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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