BSC009NE2LS5IATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: BSC009NE2LS5IATMA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 0.8659/pcs
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Numero di parte	BSC009NE2LS5IATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 12V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.95 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSC009NE2LS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8	Dettagli
BSC009NE2LS5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON	Dettagli
BSC009NE2LS5IATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND	Dettagli
BSC009NE2LSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8	Dettagli