| Número de pieza | BSC010NE2LSI |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 38A (Ta), 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND | Detalles |
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BSC009NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8 | Detalles |
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BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | Detalles |
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