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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › BSC010NE2LSI
BSC010NE2LSI

BSC010NE2LSI - Infineon Technologies

品番
BSC010NE2LSI
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BSC010NE2LSI PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
62500 pcs
参考価格
USD 0.8494/pcs
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BSC010NE2LSI 詳細な説明

品番 BSC010NE2LSI
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 38A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 59nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4200pF @ 12V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.05 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
重量 -
原産国 -

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