| 品番 | BSC010N04LSATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 38A (Ta), 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 95nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6800pF @ 20V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1 mOhm @ 50A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 FL |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | 詳細 |
|
BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | 詳細 |
|
BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | 詳細 |
|
BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON | 詳細 |
 |
BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | 詳細 |
|
BSC010NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | 詳細 |
|
BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | 詳細 |
|
BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | 詳細 |
|
BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | 詳細 |
