| Numero di parte | BSC010N04LS6ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | Dettagli |
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BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | Dettagli |
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BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Dettagli |
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BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON | Dettagli |
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BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Dettagli |
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BSC010NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | Dettagli |
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BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | Dettagli |
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BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | Dettagli |
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BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | Dettagli |
