DMG1012TQ-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte	DMG1012TQ-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	630mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60.67pF @ 16V
Vgs (massimo)	±6V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	280mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-523
Pacchetto / caso	SOT-523
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DMG1012T-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR	Dettagli
DMG1012T-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523	Dettagli
DMG1012T-7-F	DIODES	DMG1012T-7-F DIODES SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
DMG1012TQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523	Dettagli
DMG1012UW-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1A SOT323	Dettagli
DMG1013T	DIODES	DMG1013T DIODES SOT523 New Original Stocks	Dettagli
DMG1013T-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523	Dettagli
DMG1013TQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523	Dettagli
DMG1013UW	DIODES	DMG1013UW DIODES SOT323 New Original Stocks	Dettagli
DMG1013UW-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323	Dettagli