| Numero di parte | DMG1012T-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 630mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.737nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 280mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
| Pacchetto / caso | SOT-523 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 | Dettagli |
