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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMG1012T-13
DMG1012T-13

DMG1012T-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG1012T-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMG1012T-13 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3615510 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.04554/pcs
Il nostro prezzo
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DMG1012T-13 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG1012T-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 630mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.737nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 280mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-523
Pacchetto / caso SOT-523
Peso -
Paese d'origine -

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