DMG1012UW-7

DMG1012UW-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG1012UW-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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322500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0662/pcs
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DMG1012UW-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG1012UW-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V
Vgs (massimo) ±6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 290mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 600mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Peso -
Paese d'origine -

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