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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMG1013UW-7
DMG1013UW-7

DMG1013UW-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMG1013UW-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMG1013UW-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
157500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0661/pcs
Il nostro prezzo
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DMG1013UW-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMG1013UW-7
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 820mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.622nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 59.76pF @ 16V
Vgs (massimo) ±6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 310mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 430mA, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Peso -
Paese d'origine -

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