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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › DMG1012T-13
DMG1012T-13

DMG1012T-13 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMG1012T-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DMG1012T-13 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3615510 pcs
Precio de referencia
USD 0.04554/pcs
Nuestro precio
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DMG1012T-13 Descripción detallada

Número de pieza DMG1012T-13
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 630mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.737nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 60.67pF @ 16V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 280mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-523
Paquete / caja SOT-523
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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