DMG1012TQ-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMG1012TQ-7
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	630mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60.67pF @ 16V
Vgs (Max)	±6V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	280mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-523
Paquet / cas	SOT-523
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMG1012T-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR	Détails
DMG1012T-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523	Détails
DMG1012T-7-F	DIODES	DMG1012T-7-F DIODES SOT-23 New Original Stocks	Détails
DMG1012TQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 20V 630MA SOT523	Détails
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DMG1013UW-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323	Détails