• 대한민국
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › DMG1012TQ-7
DMG1012TQ-7

DMG1012TQ-7 - Diodes Incorporated

부품 번호
DMG1012TQ-7
제조사
Diodes Incorporated
간단한 설명
MOSFET NCH 20V 630MA SOT523
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
DMG1012TQ-7 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
120000 pcs
참고 가격
USD 0.0661/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 DMG1012TQ-7

DMG1012TQ-7 상세 설명

부품 번호 DMG1012TQ-7
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 630mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 60.67pF @ 16V
Vgs (최대) ±6V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 280mW (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 SOT-523
패키지 / 케이스 SOT-523
무게 -
원산지 -

관련 제품 DMG1012TQ-7

영상 부품 번호 제조사 기술 전망
DMG1012T-13 DMG1012T-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR 세부
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 세부
DMG1012T-7-F DMG1012T-7-F DIODES DMG1012T-7-F DIODES SOT-23 New Original Stocks 세부
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 Diodes Incorporated MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 세부
DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 세부
DMG1013T DMG1013T DIODES DMG1013T DIODES SOT523 New Original Stocks 세부
DMG1013T-7 DMG1013T-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 세부
DMG1013TQ-7 DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 세부
DMG1013UW DMG1013UW DIODES DMG1013UW DIODES SOT323 New Original Stocks 세부
DMG1013UW-7 DMG1013UW-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 세부