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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › TPCF8A01(TE85L)
TPCF8A01(TE85L)

TPCF8A01(TE85L) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPCF8A01(TE85L)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TPCF8A01(TE85L) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
47602 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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TPCF8A01(TE85L) Description détaillée

Numéro d'article TPCF8A01(TE85L)
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 10V
FET Caractéristique Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max) 330mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur VS-8 (2.9x1.5)
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Poids -
Pays d'origine -

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