TPCF8A01(TE85L) - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TPCF8A01(TE85L)
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1.2V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	7.5nC @ 5V
Vgs（最大）	±12V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	590pF @ 10V
FET機能	Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大）	330mW (Ta)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	VS-8 (2.9x1.5)
パッケージ/ケース	8-SMD, Flat Lead
重量	-
原産国	-

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