Artikelnummer | TPCF8A01(TE85L) |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (Max) | 330mW (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | VS-8 (2.9x1.5) |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |