TPCF8201(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPCF8201(TE85L,F,M
État de la pièce	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 10V
Puissance - Max	330mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur	VS-8 (2.9x1.5)
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TPCF8201	TOS	TPCF8201 TOS TSST8 New Original Stocks	Détails
	TPCF8201(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8	Détails