TPCF8201(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: TPCF8201(TE85L,F,M
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data: New
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Numero di parte	TPCF8201(TE85L,F,M
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 10V
Potenza - Max	330mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	VS-8 (2.9x1.5)
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TPCF8201	TOS	TPCF8201 TOS TSST8 New Original Stocks	Dettagli
	TPCF8201(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8	Dettagli